LTE中，其下行OFDM的中央直流（DC）子载波为何留空不用？

直流分量做IDFT 会平曾信号能量，造成严重的峰均比。

能说得更详细一些吗
虽然是直流子载波，但经过调制后它与普通子载波并没有什么不同了啊

IDFT 如果k=0
不就是累加你的数据了么？
这块很可能造成很大的直流分量啊

WiMAX也空着
这不是体制的差异
是OFDM技术的共性

转载：
1. LTE下行信号使用OFDMA，BS和UE在整个带宽内分别只有一个DC。
对于BS发射机，由于中频（如采用一次变频方案）或射频（如采用零中频方案）本振的泄漏，会在最终发射的信号中间（载频处）产生一个较大的噪声。如果发射时在DC调制了数据符号，则该数据符号的发射EVM会很差，信噪比通常是负的若干dB，因此LTE协议规定这个DC上是不发射任何数据符号。一般来讲，在发射机天线口测量，要求DC子载波的功率比总发射功率低20dB以上，主要的原因是为了避免浪费PA发送无用的DC子载波以及避免DC过强影响UE接收机的射频AGC正常工作。
对于UE接收机，一般采用零中频的方案，接收本振泄漏会直接在基带的DC产生较强的噪声，也就是说如果DC上有数据符号调制，其接收信噪比会比其他子载波差很多，因此DC也不适合有数据符号。
2. LTE上行信号使用SC-FDMA，BS在整个带宽内只有一个DC，而对于每个UE，各自发射的带宽内各都有一个DC。
对于UE发射机，一般采用零中频的方案（优势是结构简单但性能较差），本振泄漏会在其发射信号的载频处产生一个较大的噪声，但DFT-S-OFDM的实质是单载波时域调制，基带DC部分发送的信号不能去掉，否则就是人为制造频率选择性衰落，对该DFT内所有符号的EVM都有一定的负面影响。LTE采用的折衷方案是将基带数字的DC与模拟的DC错开半个子载波宽度（即7.5KHz），这样本振泄漏在模拟DC部分产生的干扰，不会影响到基带DC处的信号。事实上，从UE发射的天线口来看，基带DC信号被调制在了载频偏移7.5KHz的地方。
对于BS接收机，一般采用一次变频方案（零中频或二次变频性能较差，基站侧较少采用），中频本振的泄漏会在其DC处产生一个较大的噪声。由于BS总是接收整个带宽，如果UE发射的DC与BS接收的DC相差很大（如UE只使用了部分带宽），则BS DC处的噪声对接收信号的信噪比没影响；而如果UE发射的DC与BS接收的DC相差不大（不可能相同，最少差7.5KHz），则BS DC处的噪声对接收信号的平均信噪比有微弱影响，UE DC偏移7.5KHz处的噪声会影响BS的ADC采样和数字AGC，但影响很小（通常此噪声比总接收功率低20dB以上）。另外，由于UE发射的时候，基带的DC与模拟的DC有半个子载波宽度的频差，需要在BS的DDC里做相应的校正，即数字下变频的时候中频少7.5KHz。

总结的很好，受教了
不过遇到一个问题
对于单载波的传输，采用的符号编码方式应该是双极性编码的，这样发射的数据应该是均值为零（即没有DC的），那么接收端就应该把DC去了，或者说发射的信号DC成分是不含信号的
还有就是对于零中频的解调方案，正交解调芯片的输出与ADC芯片之间应该是采用直流耦合的咯？

因为接收机一般都会产生直流分量，通信系统基带处理一般都是先去直流。
所以中央DC载波不能用来传数据。