ADS相位噪声的仿真问题

我在设计一个振荡器，频率2G左右，在用HB仿真相位噪声时遇到一个问题，谐振回路中出的电感用有Q值的那种，Q设置成200时，仿真的相位噪声是-115，但是当Q值调到400后，相位噪声反而变差了，变成-112，当用一个理想的电感代替带Q这种电感后，相位噪声变成-105，对这个结果我感到不解：理论 上Q值越高相位噪声越好，为什么Q设成400后会变差呢?！而且用一个理想电感代替带Q的电感后，相位噪声也应变好，为什么反而变差呢?请高手赐教啊

个人之见，仅供参考：
首先你要搞清楚影响相噪的是哪个Q值（QL-有载Q值，Qe-外部Q值，Qo-谐振器的固有Q值），是有载Q值决定相噪，
而你所说的Q就是谐振器的固有Q值，不是有载Q值，一般来说设计的QL约为1/2-2/3Qo时相噪最好，并不是Qo越高越好，你要考虑的是怎么设计你的匹配电路（具体还要分你你是串联谐振还是并联谐振）让QL最为合适，理论上来说QL越大越好，但是QL大了插损也大了，电路就不容易起振了