有没有人用CST做过太赫兹的功分器

功分器都差不多吧，主要是材料在THz表现的特性要设置好

你的意思就是做太赫兹的功分器的话只要按照普通的功分器做就行吗，就是材料不一样?

恩，即使普通的介质材料在THz下，表现出来的性能估计也不一样吧，具体没研究过，但是仿真都是这样的

那你有没有普通微带功分器的模型，我刚入手CST，网上做的微带功分器都是用ADS的，我想研究一下怎么做

参考微波网络等教材。威尔金森功分器。

我现在做出了个2.45G的微带公分器，如果改成太赫兹的话要改成什么材料的

不是要改成什么材料，是你要了解，你需要使用的材料在THz下表现出来什么特性?和2.45GHz一样么?如果不一样，那就需要在CST的材料里面进行更改了

我把模型修改了下，如果用原来的材料的话s11，s22和s33还算正常，S21 和S31就有点问题，最高点不在我仿真的中心频率范围内，S23也有问题，就是到不了20db以下，并且修改后的模型是纳米级别的，我觉得这个应该是要换材料，不然的话这个在现实中没办法实现的，但是我也不知道换什么材料好，请您指教一下

这个我没法指导，只能和你说去了解你的材料的属性，到了THz之后介电常数有没有改变，损耗有没有改变，色散性能怎么样
如果只是等比例缩小的话，觉得应该是不行

那介电常数的话是不是到THZ级别要越小越好，损耗和色散性的话我也不是很清楚怎么调节了

你可能还是没来了解我的意思，这个功分器你只是仿真么?要不要做成实物?
就拿简单的介质FR4来说，1GHz下介电常数是4.5，损耗角正切0.001，但是在THz时，可能就会变成介电常数6，损耗角0.01
当然了，如果你只是仿真研究，不需要做成实物，那就无所谓了，随便设置个介电常数和损耗角正切就可以仿真了，和GHz的仿真过程没有区别

THz的器件从结构到材料都有很大变化，不是随便缩比一下、设个新参数就行了的
希望小编考虑！

结构也要变的吗 ?那不是我做了个2.45G的功分器完全没帮助的。

可以熟悉功分器的结构。仿真步骤什么的

我仔细研究了下，估计微带功分器在太赫兹条件下还是不能正常运行的，因为他不是TEM模，我决定改用同轴的功分器试试，你知道同轴功分器应该要调节哪些参数吗，比如微带是调节他的臂长，电阻啥的，同轴的功分器要调节哪些?

我刚入手CST。

你有没有腔体功分器的资料啊，论坛上基本没的，很难入手啊

搭车，求同。我现在也在做THZ波段的功分器，一分二和一分三的。做300GHz的，请联系我QQ499655647  备注THz功分器

THz是不是怎么也得用波导的?