在HFSS中给周期性结构施加激励求散射参数

在HFSS中有一种Master和Slave边界，这种边界是HFSS方便研究周期结构而设置的，当将周期结构的某一个单元四周设置为Master和Slave边界，而在波传播方向上施加波端口激励时，HFSS提示波端口不能与Master或Slave边界相接触，那么在HFSS使用Master和Slave边界时如何恰当的设置激励才能求得周期性结构的散射参数呢?希望研究周期性结构的朋友能不吝赐教
附：一个相对简单得替换方法是用PE边界来取代Master和Slave边界，因为周期性结构四周施加PE边界暗含周期性边界的条件，再在波传播方向上用波端口激励即可。

难道没有同僚给点意见?看来这个问题还是属于比较生僻的，不过还是希望能看到有涉及过此问题的同僚们发表意见！

这个问题困扰我很久了，一直都没弄明白应该怎么模拟PBG结构。

你是指研究PBG单元特性吧，建议你看看Ansoft2005年的用户优秀设计论文集：p. 46页，利用HFSS分析和研究周期性电路结构，我这里没有电子版，你可以在网上找一下，里面有较为详细的说明和设置！

偶现在研究中，关注中！

我在仿一种一维PBG的时候，用的是PE边界，每个步骤地检查也没报错，可就是得不出S参数的曲线，不知道为什么。有那位大虾也遇到过类似的情况吗?

有待研究，待我弄明白之后与大家讨论

看了小编的帖子说一下我的想法,不知道小编说的散射参数的意思,既然小编可以用波导分析的方法加波端口的激励,那么自然可以通过加平面波的方法激励,至于散射参数的提取,可以通过field calculator来进行后处理,通过计算提取参考面上入射波和散射波的能量来得到.
说一点我的想法,希望可以和各位老大继续探讨

波导端口一般不与MS边界一起使用，除了不能直接接触外，还涉及到电磁波入射角度的问题，因为MS边界是通过入射角度进行周期叠加的。同意楼上兄台的看法，使用平面波激励，再结合场计算器求解散射参数。

关于master/slave边界，我有一个问题，在slave边界的设置的时候关于角度的设置我一直没搞明白，不知道哪位高手能给大家讲一下！

现在这个问题在hfss11版本中得到了圆满解决，即新引入floquet port再结合master和slave边界方法，that's pretty simple！

从理论上说：平面波入射到周期阵列上时，会产生很多模式的散射波（类似于平面波展开），我们关心的仅仅是一些低阶模式的散射波，因为只是低阶模式的散射波可以传播，高阶模是的散射波在传播过程中很快就会衰减掉。（至于哪些模式的散射波可以传播，可以很容易地通过不同模式散射波的传播矢量看出，传播式量是实数，此模式的散射波就可以传播，否则就是衰减模）。所以我们需要看的也就是那些能够传播的散射波的能量。xiongyong和flyrock说通过参考面上的反射场和入射场之间的比值来确定反射系数（S21），我想问一下：在参考面上能不能把不同模式的散射场分开，如果能分开的话，这种办法是非常可行的，数值分析时也都是采用的这种方法，如果分不开的话，此时求得的反射系数和我们需要的反射系数就不是一回事（偏大），也就没有意义了。同理：对于口径型周期阵来来说，求传输系数也是一样的。
我的邮箱是：fjmeng@mars.swjtu.edu.cn.
我现在主要是用矩量法对有厚度的周期结构作数值分析。
jqpros、xiongyong和flyrock你们在HFFSS里面做过具体的模型仿真吗?如果做过，和数值计算的结果比较是不是符合得很好?我们能交流一下吗?

floquet port激励方式与waveport的激励方式非常类似，可以指定端口处所需考虑的floquet模式数目，比如低阶模式有TE(0,0)和TM(0,0)，这就类似于平面波激励，只是场的极化方向不同，高阶模式就伴随着衰减，这些都可以通过对端口的合理设置加以考量。

请教小编，引入floquet port再结合master和slave边界方法求得的S参数只是其大小呢?还是实部和虚部都能得到?

都有的，该端口的引入极大的简化了周期性结构的研究，可以说是HFSS11之中的一大亮点。在HFSS11的自带的文档中有专门对该端口使用方法的介绍和例子，有兴趣的不妨一试。

这个问题的却不容易啊，希望高手们指导啊，能不能上传一个例子供大家参考啊。

一般的波端口激励必须使用波导近似方法，也就是利用理想电壁和理想磁壁作边界条件，
如果平面波激励，就可以使用MASTER 和SLAVE.

有待研究，待我弄明白之后与大家讨论
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请问小编你的问题解决没有?
我也想研究PBG结构
不知道咋弄
希望赐教
非常感谢

那位大侠上传一个这方面的例子嘛，都研究好长时间了，就是没有效果

好贴子，通问