PA求助

各位牛人,我碰到一个很头疼的问题,就是功率放大器的问题,频率2.4GHZ,功率增益30DB,输出功率20DBM,对于这种PA 的设计,我用的是ADS仿真, PA模型用的是S PARAMETER, 不知道大信号用S参数仿真可以吗? 仿真结果跟测试结果差别很大,特别是S11, 是怎么回事啊,有没有更好的办法来设计PA?,谢谢了

你的问题我的说法如下：
不知道大信号用S参数仿真可以吗? 仿真结果跟测试结果差别很大,特别是S11, 是怎么回事啊,有没有更好的办法来设计PA?
答：S PARAMETER在大信号模式下已经失去意义，因为阻抗是基于线性矩阵代数，在大信号非线性模式下，已不能准确描述发生的物理过程。
所以目前一般PA设计流程是：
1.向厂家索要load-pull(负载牵引信息)，或根据steve c.cripps的负载线理论，利用data sheet上给出的器件静态I_V曲线估算出最佳负载阻抗Ropt
2.提取器件封装寄生参数，即利用小信号S-PARAMETER在仿真软件上提取，具体方法见ADS自带的例子：“amodelB-pri under mw-ckts”
3.做输出匹配，寄生参数必须作为输出匹配网络的一部分，使放大器封装内部输出端口“看到”的阻抗=Ropt
4.最后做输入端共轭匹配。

在测试PA的时候,校准是个很关键的问题,请问各位如何做端口延伸的测试? 比如我要得到PA的裸片S 参数?
答：这个问题在回答上边问题时已经解答，即被提取了封装寄生参数的放大器，剩下的就是裸片的模型。

以上两个问题如需具体解析，请参见HP EEsof customer Education and Applications:MESFET Power Amplifier Design:small signal approach
请自行网上查找。

感谢2楼的解答。