晶体管偏置随输入功率变化 求解释！
05-08
在文献中看到这么一张图 说图中的那种偏置形式 HBT晶体管Vbe会随加入的功率上升而下降 偏执点发生漂移 这怎么解释啊? 求大神！
不知道是不是因为管子中的哪个寄生电阻分压导致的 自己想不通
Ic,Ib随功率增大，R1压降变大。
我觉得原因是BJT的rin 会随着输入功率增加而迅速减小（在peak的时候rin最小），Vbe自然就下来了。这个非线性的输入阻抗很不好处理，BJT的bias是比较复杂的current mirror
Ic,Ib随功率增大，R1压降变大。
我用ADS仿真了下 几乎没什么变化 ADS软件仿真时考虑这些问题么?
我觉得原因是BJT的rin 会随着输入功率增加而迅速减小（在peak的时候rin最小），Vbe自然就下来了。这个非线性的输入阻抗很不好处理，BJT的bias是比较复杂的current mirroR
为什么Rin会随着输入功率变化啊 Rin不是频率的函数嘛?！。
Ic,Ib随功率增大，R1压降变大。
我用ADS仿真了下 几乎没什么变化 ADS软件仿真时考虑这些问题么?
相关文章：
- 晶体管的选择(05-08)
- 微波晶体管特性参数的理解(05-08)
- ADS中的晶体管模型选择(05-08)
- 选用晶体管的问题(05-08)
- 晶体管封装模型的仿真问题...(05-08)
- 请大家推荐一个晶体管，多谢！(05-08)
射频专业培训教程推荐
