仿真时出现的unstable问题，请教！(已修改)

偶在仿真一个芯片封装时,在"Transient Analysis....Process excitation"结束后，CST报告
“the calculation seems to be unstable，”， 然后就被迫“abort"了。

但是根据提示去作（就是减少PBA fill limit, 或者减少stability factor，
俺试了很多个值），
上述问题仍旧存在，CST就是不给算，郁闷！

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2007-06-06 新补充：

看样子很难哦，已经试了2个星期了，没有太大进展。
现在俺把一些主要的参数列一下，看各位高人有没有办法。
主要是一个多层结构，见图（由于有版权问题，所以不能显示结构全图，抱歉了）
空间波长为7mm,但是金属层厚度为0.015mm，层间间隔为0.025mm，有多层此种结构。
整个部件size为 7X5X2mm. 2 pin 共 4 个i/o口,用lumped port设置（不能用wave port)
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当前的考虑，若考虑到采样率（PPW - point per wavelength)，最小关键尺寸为0。015mm,那么
ppw = 0.015/7 = 470，mesh数将达到1.6e9，内存需求>2GB,CST2006B不让算了。
若采用CST example 中的“IC package"方法，ppw = 15, 边mesh点数=20, cell size ration = 20;
加上"subgrid" 和 "adaptive mesh",总cell数降为2e6;但是还是"unstable".
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由于结构复杂，mesh太密，手工修改mesh没有意义。

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各位大大，有啥子建议不？